لقد تمكنت عدة مجموعات بحثية، بما فيها مجموعتنا، من أن تبني بنجاح أدوات إلكترونية عاملة مستخدمة أنابيب الكربون النانوية . فترانزستورات المفعول المجالي (field-effect transistors :FET) التي صنعناها تستخدم أنابيب نانوية شبه موصلة مفردة بين إلكترودين (مَسْرَيَيْن) electrodes معدنيين تقوم مقام قناة تتدفق خلالها الإلكترونات .ويمكن التحكم في تدفق التيار في هذه القناة (بالسماح أو الإيقاف)، وذلك بتطبيق ڤلطيات على إلكترود ثالث قريب منهما. تعمل الأدوات (النبائط) المبنية على الأنابيب النانوية في درجة حرارة الغرفة بمميزات كهربائية مماثلة بصورة رائعة لأدوات (نبائط) السيليكون المتوفرة تجاريًّا. لقد وجدنا نحن وآخرون، على سبيل المثال، أن إلكترود البوابة gate electrode يستطيع أن يغير موصلية قناة الأنبوب النانوي في ترانزستورات المفعول المجالي FET بمعامل يبلغ مليونًا أو أكثر، مقارنة بترانزستورات المفعول المجالي FET السيليكونية. ونظرًا لحجمه البالغ الصغر، فإن ترانزستور FET المصنوع من الأنابيب النانوية يمكنه أن يشكل قاطعة switch موثوقًا بها، مستخدمًا طاقة أقل بكثير من الطاقة التي تستهلكها أداة (نبيطة) قائمة على السيليكون. ويتنبأ النظريون بأن قاطعة نانوية المقياس حقًّا تستطيع أن تعمل بسرعات تقدر بالتيراهرتز Hz 1012 ) terahertz )أو أكثر - أي 1000 مرة أسرع من المعالِجات المتوفرة حاليًا.
موضوع: الدارات النانوية 
18/2/2011, 03:08
